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RIE反應(yīng)離子刻蝕機

簡要描述：CIF 推出 RIE 反應(yīng)離子刻蝕機，采用 RIE 反應(yīng)離子誘導(dǎo)激發(fā)方式，實現(xiàn)對材料表面各向異性的微結(jié)構(gòu)刻蝕。特別適合于大學(xué)、科研院所，微電子、半導(dǎo)體企業(yè)實驗室進(jìn)行介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低，性價比高，易維護，處理快速高效。RIE反應(yīng)離子刻蝕機適用于所有的基材及復(fù)雜的幾何構(gòu)形進(jìn)行 RIE 反應(yīng)離子刻蝕。

產(chǎn)品型號：SPB5/plus
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
更新時間：2024-10-25
訪問量：1086

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CIF材料表面處理儀器

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CIF 推出 RIE 反應(yīng)離子刻蝕機，采用 RIE 反應(yīng)離子誘導(dǎo)激發(fā)方式，實現(xiàn)對材料表面各向異性的微結(jié)構(gòu)刻蝕。特別適合于大學(xué)、科研院所，微電子、半導(dǎo)體企業(yè)實驗室進(jìn)行介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低，性價比高，易維護，處理快速高效。RIE反應(yīng)離子刻蝕機適用于所有的基材及復(fù)雜的幾何構(gòu)形進(jìn)行 RIE 反應(yīng)離子刻蝕。

具體包括：

◆ 介電材料（SiO2、SiNx 等）

◆ 硅基材料（Si，a-Si，poly Si）

◆ III-V 材料（GaAs、InP、GaN 等）

◆ 濺射金屬（Au、Pt、Ti、Ta、W 等）

◆ 類金剛石（DLC）

應(yīng)用領(lǐng)域：

RIE反應(yīng)離子刻蝕機主要用于微電子芯片、太陽能電池、生物芯片、顯示器、光學(xué)、通訊等領(lǐng)域的器件研發(fā)和制造。

產(chǎn)品特點

◆ 7 寸彩色觸摸屏中英文互動操作界面，自動控制監(jiān)測工藝參數(shù)狀態(tài)，20 個配方程序，工藝數(shù)據(jù)可存儲追溯。

◆ PLC 工控機控制整個清洗過程，手動、自動兩種工作模式。

◆ 真空艙體、全真空管路系統(tǒng)采用 316 不銹鋼材質(zhì)，耐腐蝕無污染。

◆ 采用防腐數(shù)字流量計，實現(xiàn)對氣體輸入精準(zhǔn)控制。標(biāo)配雙路氣體輸送系統(tǒng)，可選多氣路氣體輸送系統(tǒng)，可輸入氧氣、氬氣、氮氣、四氟化碳、氫氣或混合氣等氣體。

◆ 采用花灑式多孔進(jìn)氣方式，改變單孔進(jìn)氣不均勻問題。

◆ HEPA 高效過濾，氣體返填吹掃，防止二次污染。

◆ 符合人體功能學(xué)的 60 度傾角操作界面設(shè)計，操作方便，界面友好。

◆ 采用頂置真空艙，上開蓋設(shè)計，下壓式鉸鏈開關(guān)方式。

◆ 上置式 360 度水平取放樣品設(shè)計，符合人體功能學(xué)，操作更方便。

◆ 有效處理面積大，可處理最大直徑 154mm 晶元硅片。

◆ 安全保護，艙門打開，自動關(guān)閉電源，機器運行、停止提示。

技術(shù)參數(shù)

型號	RIE200	RIE200plus
艙體內(nèi)尺寸	H38xΦ260mm	H38xΦ260mm
艙體容積	2L	2L
射頻電源	40KHz	13.56MHz
電極	不銹鋼氣浴 RIE 電極， Φ200mm	不銹鋼氣浴 RIE 電極， Φ200mm
匹配器	自動匹配	自動匹配

刻蝕方式	RIE	RIE
射頻功率	0-600W 可調(diào)（可選 0-1000W）	0-300W 可調(diào)（可選 0-600W）
氣體控制	質(zhì)量流量計（MFC）（標(biāo)配雙路，可選多路）流量范圍 0-500SCCM（可調(diào)）
工藝氣體	Ar、N ?、O ?、H ?、CF4、CF4+ H2、CHF3 或其他混合氣體等（可選）
最大處理尺寸	Φ154mm
產(chǎn)品尺寸	L520xW600xH420mm
包裝尺寸	L700xW580xH490mm
時間設(shè)定	9999 秒
真空泵	抽速約 8m3/h
氣體穩(wěn)定時間	1 分鐘
極限真空	≤1Pa
電源	AC220V 50-60Hz，802（1202）502（802）W 所有配線符合《低壓配電設(shè)計規(guī)范 GB50054-95》、《低壓配電裝置及線路設(shè)計規(guī)范》等國標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)相關(guān)規(guī)定。
整機重量	38kg

備注：可選：1、冷卻循環(huán)水器：溫度控制范圍 -20-100℃;

2、分子泵：分子泵抽速 85L/s（N2）極限真空：LF<8*10-6Pa，CF<8*10-7Pa。

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